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FDPF33N25T
MOSFET de Potencia, Canal N, 250 V, 33 A, 0.094 ohm, TO-220F, Orificio Pasante
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| 10+ | 2,020 € |
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| 500+ | 1,090 € |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteFDPF33N25T
Código Farnell1324807
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)250V
Corriente de Drenaje Continua Id33A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.094ohm
Encapsulado del TransistorTO-220F
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente5V
Disipación de Potencia94W
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Resumen del producto
The FDPF33N25T is an UniFET™ high voltage MOSFET produced based on planar stripe and DMOS technology. It is tailored to reduce ON-state resistance and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
- 100% Avalanche tested
- 36.8nC Typical low gate charge
- 39pF Typical low Crss
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
33A
Encapsulado del Transistor
TO-220F
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
94W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
250V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.094ohm
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
5V
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.002
Trazabilidad del producto