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FDPC5018SG
MOSFET Doble, Canal N, 30 V, 30 V, 109 A, 109 A, 0.0014 ohm
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FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteFDPC5018SG
Código Farnell3003960RL
Rango de ProductoPowerTrench Series
Hoja de datos técnicos
4050 Productos en Stock
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 100+ | 0,991 € |
| 500+ | 0,791 € |
| 1500+ | 0,771 € |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteFDPC5018SG
Código Farnell3003960RL
Rango de ProductoPowerTrench Series
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N30V
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N109A
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P109A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N0.0014ohm
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P0.0014ohm
Encapsulado del TransistorPQFN
Número de pines8Pins
Disipación de Potencia Canal N29W
Disipación de Potencia Canal P29W
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoPowerTrench Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Resumen del producto
Advertencias
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Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
109A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P
0.0014ohm
Número de pines
8Pins
Disipación de Potencia Canal P
29W
Gama de Producto
PowerTrench Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
109A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N
0.0014ohm
Encapsulado del Transistor
PQFN
Disipación de Potencia Canal N
29W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85413000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.0005
Trazabilidad del producto