FDP18N50

El FDP18N50 es un MOSFET UniFET™ con canal N de 500V basado en tecnología de banda planar y DMOS. Este MOSFET está diseñado especialmente para reducir la resistencia en estado conductor y para proporcionar un mejor rendimiento de conmutación y alta resistencia a energía en avalancha. El rendimiento de recuperación inversa del diodo del cuerpo del MOSFET UniFET FRFET® se ha mejorado mediante control de la vida útil. Su valor trr es inferior a 100ns y la inmunidad dv/dt inversa es de 15V/ns mientras que los MOSFETs de tipo planar normales tienen más de 200ns y 4,5V/ns respectivamente. Por lo tanto, se pueden eliminar los componentes adicionales y mejorar la fiabilidad del sistema en ciertas aplicaciones en las que el rendimiento del diodo del cuerpo del MOSFET es significativo. Esta familia de dispositivos es adecuada para conmutación de potencia en aplicaciones de convertidor como corrección de factor de potencia (PFC), suministro a televisión con pantalla de panel plano (FPD), ATX y balastos de lámpara electrónica. Este producto es de uso general y adecuado para diferentes aplicaciones.

• Baja carga de puerta
• 100% probado para avalancha