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FDC6312P
MOSFET Doble, Canal P, 20 V, 2.3 A
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
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| 9000+ | 0,254 € |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteFDC6312P
Código Farnell2438426
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N-
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P2.3A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N-
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P0.115ohm
Encapsulado del TransistorSuperSOT
Número de pines6Pins
Disipación de Potencia Canal N-
Disipación de Potencia Canal P960mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
The FDC6312P is a dual P-channel MOSFET produced using advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize ON-state resistance and yet maintain low gate charge for superior switching performance.
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
- Small footprint
- Low profile
- ±8V Gate to source voltage
- -2.3A Continuous drain/output current
- 7A Pulsed drain/output current
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
2.3A
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P
0.115ohm
Número de pines
6Pins
Disipación de Potencia Canal P
960mW
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
-
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N
-
Encapsulado del Transistor
SuperSOT
Disipación de Potencia Canal N
-
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.001
Trazabilidad del producto