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FDC6303N
MOSFET Doble, Canal N, 25 V, 680 mA, 0.45 ohm
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 3000+ | 0,138 € |
| 9000+ | 0,134 € |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteFDC6303N
Código Farnell2985478
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N25V
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N680mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N0.45ohm
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P-
Encapsulado del TransistorSuperSOT
Número de pines6Pins
Disipación de Potencia Canal N900mW
Disipación de Potencia Canal P-
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
The FDC6303N is a dual N-channel logic level enhancement-mode FET with high cell density and DMOS technology. This very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. This device has been designed especially for low voltage applications as a replacement for digital transistors in load switching applications. Since bias resistors are not required this one N-channel FET can replace several digital transistors with different bias resistors like the IMHxA series.
- Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits
- Gate-source Zener for ESD ruggedness
- Replace multiple NPN digital transistors (IMHxA series) with one DMOS FET
- 8V Gate-source voltage
- 0.68A Continuous drain/output current
- 2A Pulsed drain/output current
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P
-
Número de pines
6Pins
Disipación de Potencia Canal P
-
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N
25V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
680mA
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N
0.45ohm
Encapsulado del Transistor
SuperSOT
Disipación de Potencia Canal N
900mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):2.27
Trazabilidad del producto