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FDC6301N..
MOSFET Doble, Canal N, 25 V, 220 mA, 5 ohm
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,437 € |
| 50+ | 0,349 € |
| 100+ | 0,222 € |
| 500+ | 0,169 € |
| 1500+ | 0,135 € |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteFDC6301N..
Código Farnell1700673
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N25V
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N220mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N5ohm
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P-
Encapsulado del TransistorSuperSOT
Número de pines6Pins
Disipación de Potencia Canal N900mW
Disipación de Potencia Canal P-
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
The FDC6301N is a dual N-channel logic level enhancement-mode FET with high cell density and DMOS technology. It is very high density process is especially tailored to minimize ON-state resistance. It has been designed especially for low voltage applications as a replacement for digital transistors. Since bias resistors are not required, this N-channel FET's can replace several digital transistors, with a variety of bias resistors.
- Very low level gate drive requirements allowing direct operation in 3V circuits
- Gate-source Zener for ESD ruggedness
- -0.5 to 8V Gate to source voltage
- 0.22A Continuous drain/output current
- 0.5A Pulsed drain/output current
Advertencias
La demanda de este producto en el mercado ha extendido los plazos de fabricación, por lo que las fechas de entrega pueden fluctuar
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P
-
Número de pines
6Pins
Disipación de Potencia Canal P
-
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N
25V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
220mA
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N
5ohm
Encapsulado del Transistor
SuperSOT
Disipación de Potencia Canal N
900mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:United States
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:United States
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000091
Trazabilidad del producto