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DAP222T1G
Diodo de Señal Pequeña, Anodo Común Doble, 80 V, 100 mA, 1.2 V, 4 ns, 2 A
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,0952 € |
| 10+ | 0,0533 € |
| 100+ | 0,0438 € |
| 500+ | 0,0333 € |
| 1000+ | 0,0306 € |
| 5000+ | 0,021 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
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Múltiplo: 5
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteDAP222T1G
Código Farnell2727955
Hoja de datos técnicos
Configuración de DiodoAnodo Común Doble
Tensión inversa repetitiva máx.80V
Corriente Directa Promedio100mA
Tensión Directa Máxima1.2V
Tiempo de Recuperación Inversa4ns
Sobrecorriente Directa2A
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Encapsulado del DiodoSOT-416
Número de pines3Pins
Montaje de DiodoMontaje en superficie
Gama de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Configuración de Diodo
Anodo Común Doble
Corriente Directa Promedio
100mA
Tiempo de Recuperación Inversa
4ns
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tensión inversa repetitiva máx.
80V
Tensión Directa Máxima
1.2V
Sobrecorriente Directa
2A
Encapsulado del Diodo
SOT-416
Montaje de Diodo
Montaje en superficie
Calificación
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00003
Trazabilidad del producto