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BS270
MOSFET de Potencia, Canal N, 60 V, 400 mA, 1.2 ohm, TO-92, Orificio Pasante
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteBS270
Código Farnell1017689
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)60V
Corriente de Drenaje Continua Id400mA
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor1.2ohm
Encapsulado del TransistorTO-92
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente2.1V
Disipación de Potencia625mW
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
The BS270 is a N-channel enhancement mode Field Effect Transistor is produced using high cell density, DMOS technology. This very high density process has been designed to minimize on-state resistance while provide rugged, reliable and fast switching performance. It can be used in most applications requiring up to 500mA DC. It is also suitable for low voltage, low current applications such as small servo motor control, power MOSFET gate drivers and other switching applications.
- Voltage controlled small signal switch
- Rugged and reliable
- High saturation current capability
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
400mA
Encapsulado del Transistor
TO-92
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
625mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
60V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
1.2ohm
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
2.1V
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (3)
Alternativas para BS270
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000192
Trazabilidad del producto