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BC847BDW1T1G
Array de Transistores Bipolares, Propósito General, NPN Doble, 45 V, 100 mA, 380 mW
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FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteBC847BDW1T1G
Código Farnell2317919
Rango de ProductoBCxxx Series
Hoja de datos técnicos
Disponible para pedido
Plazo de entrega estándar del fabricante: 14 semanas
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 3000+ | 0,0344 € |
| 9000+ | 0,0267 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Rollo Completo)
Mínimo: 3000
Múltiplo: 3000
103,20 € (Excl. IVA)
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteBC847BDW1T1G
Código Farnell2317919
Rango de ProductoBCxxx Series
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorNPN Doble
Tensión Máx Colecto-Emisor NPN45V
Tensión Máx de Colector-Emisor PNP-
Corriente de Colector Continua NPN100mA
Corriente de Colector Continua PNP-
Disipación de Potencia NPN380mW
Disipación de Potencia PNP-
Ganancia de Corriente CC hFE Mín NPN450hFE
Ganancia de Corriente CC hFE Mín PNP-
Encapsulado del TransistorSOT-363
Número de Pines6Pins
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Frecuencia de Transición NPN100MHz
Frecuencia de Transición PNP-
Gama de ProductoBCxxx Series
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
The BC847BDW1T1G is a NPN dual Bipolar Transistor Array designed for general purpose amplifier applications. It is designed for low power surface-mount applications.
- Halogen-free
- -55 to 150°C Junction temperature range
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
NPN Doble
Tensión Máx de Colector-Emisor PNP
-
Corriente de Colector Continua PNP
-
Disipación de Potencia PNP
-
Ganancia de Corriente CC hFE Mín PNP
-
Número de Pines
6Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Frecuencia de Transición PNP
-
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tensión Máx Colecto-Emisor NPN
45V
Corriente de Colector Continua NPN
100mA
Disipación de Potencia NPN
380mW
Ganancia de Corriente CC hFE Mín NPN
450hFE
Encapsulado del Transistor
SOT-363
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Frecuencia de Transición NPN
100MHz
Gama de Producto
BCxxx Series
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (2)
Alternativas para BC847BDW1T1G
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000006
Trazabilidad del producto