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AFGY120T65SPD
IGBT, 120 A, 1.6 V, 714 W, 650 V, TO-247, 3 Pines
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 9,050 € |
| 5+ | 8,140 € |
| 10+ | 7,230 € |
| 50+ | 6,320 € |
| 100+ | 6,190 € |
| 250+ | 6,070 € |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricanteAFGY120T65SPD
Código Farnell3588811
Hoja de datos técnicos
Corriente de Colector Continua120A
Tensión de Saturación de Colector-Emisor1.6V
Disipación de Potencia714W
Tensión Colector-Emisor Máx650V
Encapsulado del TransistorTO-247
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Gama de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Corriente de Colector Continua
120A
Disipación de Potencia
714W
Encapsulado del Transistor
TO-247
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Tensión de Saturación de Colector-Emisor
1.6V
Tensión Colector-Emisor Máx
650V
Número de Pines
3Pins
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.0001