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2SC5200OTU
Transistor Simple Bipolar (BJT), NPN, 250 V, 17 A, 150 W, TO-264, Orificio Pasante
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| 10+ | 2,740 € |
| 100+ | 2,460 € |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricante2SC5200OTU
Código Farnell2453764
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorNPN
Tensión Colector-Emisor Máx250V
Corriente de Colector Continua17A
Disipación de Potencia150W
Encapsulado del TransistorTO-264
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Número de pines3Pins
Frecuencia de Transición30MHz
Mín. ganancia de corriente continua hFE80hFE
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
El 2SC5200OTU es un transistor epitaxial de silicio NPN de 250V con capacidad para alta corriente y alta disipación de potencia. Apto para aplicaciones de amplificador de salida de audio de alta fidelidad y amplificador de potencia de propósito general. Este producto es de uso general y adecuado para diferentes aplicaciones.
- Excelente linealidad de ganancia para baja THD
- Complemento de 2SA1943/FJL4215
- Amplia SOA (área de operación segura) para operación fiable
- Alta disipación de potencia (150W)
- Alta frecuencia (30MHz)
- Alta tensión (VCEO = 250V)
Notas
La demanda de este producto en el mercado ha causado una extensión de los plazos de entrega. Las fechas de entrega pueden fluctuar. Producto exento de descuentos.
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
NPN
Corriente de Colector Continua
17A
Encapsulado del Transistor
TO-264
Número de pines
3Pins
Mín. ganancia de corriente continua hFE
80hFE
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tensión Colector-Emisor Máx
250V
Disipación de Potencia
150W
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Frecuencia de Transición
30MHz
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.0084