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Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
5+ | 0,518 € |
10+ | 0,348 € |
100+ | 0,232 € |
500+ | 0,162 € |
1000+ | 0,144 € |
5000+ | 0,125 € |
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Información del producto
FabricanteONSEMI
Referencia del fabricante1N5407G
Código Farnell2535558
Rango de Producto1N5407
Hoja de datos técnicos
Tensión inversa repetitiva máx.800V
Corriente Directa Promedio3A
Configuración de DiodoÚnico
Tensión Directa Máxima1V
Tiempo de Recuperación Inversa-
Sobrecorriente Directa200A
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Encapsulado del DiodoConexión Axial
Número de pines2Pins
Gama de Producto1N5407
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tensión inversa repetitiva máx.
800V
Configuración de Diodo
Único
Tiempo de Recuperación Inversa
-
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Número de pines
2Pins
Calificación
-
Corriente Directa Promedio
3A
Tensión Directa Máxima
1V
Sobrecorriente Directa
200A
Encapsulado del Diodo
Conexión Axial
Gama de Producto
1N5407
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (1)
Alternativas para 1N5407G
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Productos asociados
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.001134
Trazabilidad del producto