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Información del producto
FabricanteNXP
Referencia del fabricanteMRFX1K80NR5
Código Farnell2985306
Hoja de datos técnicos
Tensión Drenador-Fuente (Vds)179V
Corriente de Drenaje Continua Id-
Disipación de Potencia3.333kW
Frecuencia mín. de funcionamiento1.8MHz
Frecuencia máx. de funcionamiento400MHz
Encapsulado del TransistorOM-1230
Número de pines4Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.225°C
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorReborde
Gama de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 horas
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
MRFX1K80NR5 is a wideband RF Power LDMOS transistor in a 4 pin OM-1230 package. This high ruggedness device is designed for use in high VSWR industrial, medical, broadcast, aerospace and mobile radio applications. Their unmatched input and output design supports frequency use from 1.8 to 400MHz.
- Unmatched input and output allowing wide frequency range utilization
- Device can be used single ended or in a push pull configuration
- Qualified up to a maximum of 65VDD operation
- Characterized from 30 to 65V for extended power range
- Lower thermal resistance package
- High breakdown voltage for enhanced reliability
- Suitable for linear application with appropriate biasing
- Integrated ESD protection with greater negative gate-source voltage for improved Class C operation
Especificaciones técnicas
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
179V
Disipación de Potencia
3.333kW
Frecuencia máx. de funcionamiento
400MHz
Número de pines
4Pins
Tipo de Canal
Canal N
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Corriente de Drenaje Continua Id
-
Frecuencia mín. de funcionamiento
1.8MHz
Encapsulado del Transistor
OM-1230
Temperatura de Funcionamiento Máx.
225°C
Montaje de Transistor
Reborde
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 horas
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.009072