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MRFX1K80GNR5
Transistor FET de RF, 179 V, 3.333 kW, 1.8 MHz, 400 MHz, OM-1230G
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 5+ | 202,650 € |
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Información del producto
FabricanteNXP
Referencia del fabricanteMRFX1K80GNR5
Código Farnell2985307RL
Hoja de datos técnicos
Tensión Drenador-Fuente (Vds)179V
Corriente de Drenaje Continua Id-
Disipación de Potencia3.333kW
Frecuencia de Funcionamiento Mín.1.8MHz
Frecuencia Máx. de Funcionamiento400MHz
Encapsulado del TransistorOM-1230G
Número de Pines4Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.225°C
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Gama de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 horas
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
179V
Disipación de Potencia
3.333kW
Frecuencia Máx. de Funcionamiento
400MHz
Número de Pines
4Pins
Tipo de Canal
Canal N
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Corriente de Drenaje Continua Id
-
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
1.8MHz
Encapsulado del Transistor
OM-1230G
Temperatura de Funcionamiento Máx.
225°C
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 horas
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00025
Trazabilidad del producto