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MRFE6VS25LR5
Transistor FET de RF, 133 VDC, 1.8 MHz, 2 GHz, NI-360H
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 50+ | 87,020 € |
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Mínimo: 50
Múltiplo: 50
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Información del producto
FabricanteNXP
Referencia del fabricanteMRFE6VS25LR5
Código Farnell2776266
Hoja de datos técnicos
Tensión Drenador-Fuente (Vds)133VDC
Corriente de Drenaje Continua Id-
Disipación de Potencia-
Frecuencia mín. de funcionamiento1.8MHz
Frecuencia máx. de funcionamiento2GHz
Encapsulado del TransistorNI-360H
Número de pines2Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.225°C
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorReborde
Gama de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
MRFE6VS25LR5 is a high ruggedness N-channel enhancement mode lateral MOSFET. RF power transistor designed for both narrowband and broadband ISM, broadcast and aerospace applications operating at frequencies from 1.8 to 2000MHz. This device is fabricated using NXP’s enhanced ruggedness platform and is suitable for use in applications where high VSWRs are encountered.
- RF power LDMOS transistor
- Wide operating frequency range
- Extreme ruggedness
- Unmatched, capable of very broadband operation
- Integrated stability enhancements
- Low thermal resistance
- Extended ESD protection circuit
- NI-360H-2L transistor case style
Especificaciones técnicas
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
133VDC
Disipación de Potencia
-
Frecuencia máx. de funcionamiento
2GHz
Número de pines
2Pins
Tipo de Canal
Canal N
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Corriente de Drenaje Continua Id
-
Frecuencia mín. de funcionamiento
1.8MHz
Encapsulado del Transistor
NI-360H
Temperatura de Funcionamiento Máx.
225°C
Montaje de Transistor
Reborde
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.0003