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Información del producto
FabricanteNXP
Referencia del fabricanteMRFE6VP6300HR5
Código Farnell2776250
Hoja de datos técnicos
Tensión Drenador-Fuente (Vds)130VDC
Corriente de Drenaje Continua Id-
Disipación de Potencia1.05kW
Frecuencia de Funcionamiento Mín.1.8MHz
Frecuencia Máx. de Funcionamiento600MHz
Encapsulado del TransistorNI-780
Número de Pines4Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.225°C
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorReborde
Gama de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
MRFE6VP6300HR5 is a RF power field effect transistor. A high ruggedness N-channel enhancement mode lateral MOSFETs. This device is designed for use in high VSWR industrial (including laser and plasma exciters), broadcast (analogue and digital), aerospace and radio/land mobile applications. This has unmatched input and output designs allowing wide frequency range utilization, between 1.8 and 600MHz.
- Device can be used single ended or in a push pull configuration
- Qualified up to a maximum of 50VDD operation
- Characterized from 30V to 50V for extended power range
- Suitable for linear application with appropriate biasing
- Integrated ESD protection
- Greater negative gate--source voltage range for improved class C operation
- Characterized with series equivalent large--signal impedance parameters
Especificaciones técnicas
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
130VDC
Disipación de Potencia
1.05kW
Frecuencia Máx. de Funcionamiento
600MHz
Número de Pines
4Pins
Tipo de Canal
Canal N
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Corriente de Drenaje Continua Id
-
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
1.8MHz
Encapsulado del Transistor
NI-780
Temperatura de Funcionamiento Máx.
225°C
Montaje de Transistor
Reborde
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.008165
Trazabilidad del producto