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MRFE6VP5150NR1
Transistor FET de RF, 133 VDC, 952 W, 1.8 MHz, 600 MHz, TO-270WB
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 193,100 € |
| 5+ | 168,970 € |
| 10+ | 140,000 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
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Información del producto
FabricanteNXP
Referencia del fabricanteMRFE6VP5150NR1
Código Farnell2776263
Hoja de datos técnicos
Tensión Drenador-Fuente (Vds)133VDC
Corriente de Drenaje Continua Id-
Disipación de Potencia952W
Frecuencia mín. de funcionamiento1.8MHz
Frecuencia máx. de funcionamiento600MHz
Encapsulado del TransistorTO-270WB
Número de pines4Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.225°C
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorReborde
Gama de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 horas
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Especificaciones técnicas
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
133VDC
Disipación de Potencia
952W
Frecuencia máx. de funcionamiento
600MHz
Número de pines
4Pins
Tipo de Canal
Canal N
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Corriente de Drenaje Continua Id
-
Frecuencia mín. de funcionamiento
1.8MHz
Encapsulado del Transistor
TO-270WB
Temperatura de Funcionamiento Máx.
225°C
Montaje de Transistor
Reborde
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 horas
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.0003
Trazabilidad del producto