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MRFE6VP100HR5
Transistor FET de RF, 133 VDC, 1.8 MHz, 2000 MHz, NI-780
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Fuera de inventario
Información del producto
FabricanteNXP
Referencia del fabricanteMRFE6VP100HR5
Código Farnell2776256
Hoja de datos técnicos
Tensión Drenador-Fuente (Vds)133VDC
Corriente de Drenaje Continua Id-
Disipación de Potencia-
Frecuencia mín. de funcionamiento1.8MHz
Frecuencia máx. de funcionamiento2000MHz
Encapsulado del TransistorNI-780
Número de pines4Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.225°C
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorReborde
Gama de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
MRFE6VP100HR5 is a RF power LDMOS transistor designed for both narrowband and broadband ISM, broadcast and aerospace applications operating at frequencies from 1.8 to 2000MHz. It is fabricated using NXP enhanced ruggedness platform and are suitable for use in applications where high VSWRs are encountered.
- Wide operating frequency range
- Extremely rugged
- Unmatched, capable of very broadband operation
- Integrated stability enhancements
- Low thermal resistance and integrated ESD protection circuitry
- 400nAdc max gate source leakage current (VGS = 5Vdc, VDS = 0Vdc)
- 133VDC min drain source breakdown voltage (VGS = 0Vdc, ID = 50mA)
- 10μAdc max zero gate voltage drain leakage current (VDS = 100Vdc, VGS = 0Vdc)
- 27dB max power gain, 70% typ drain efficiency
- NI-780 transistor case style and 225°C max operating temperature
Especificaciones técnicas
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
133VDC
Disipación de Potencia
-
Frecuencia máx. de funcionamiento
2000MHz
Número de pines
4Pins
Tipo de Canal
Canal N
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Corriente de Drenaje Continua Id
-
Frecuencia mín. de funcionamiento
1.8MHz
Encapsulado del Transistor
NI-780
Temperatura de Funcionamiento Máx.
225°C
Montaje de Transistor
Reborde
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.014179
Trazabilidad del producto