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MRF300AN
Transistor FET de RF, 133 V, 272 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-247
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FabricanteNXP
Referencia del fabricanteMRF300AN
Código Farnell2917575
Rango de ProductoMRF300AN; MRF300BN
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 53,510 € |
| 5+ | 49,370 € |
| 10+ | 45,230 € |
| 50+ | 42,760 € |
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Múltiplo: 1
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Información del producto
FabricanteNXP
Referencia del fabricanteMRF300AN
Código Farnell2917575
Rango de ProductoMRF300AN; MRF300BN
Hoja de datos técnicos
Tensión Drenador-Fuente (Vds)133V
Corriente de Drenaje Continua Id-
Disipación de Potencia272W
Frecuencia de Funcionamiento Mín.1.8MHz
Frecuencia Máx. de Funcionamiento250MHz
Encapsulado del TransistorTO-247
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Gama de ProductoMRF300AN; MRF300BN
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
Estos dispositivos muy resistentes están diseñados para usar en aplicaciones industriales, científicas y médicas de alta VSWR y en comunicaciones HF y VHF, así como en transmisiones de radio y TV VHF, aplicaciones aeroespaciales y de radio móvil sub--GHz. Su incomparable diseño de entrada y salida permite utilizar un amplio rango de frecuencias, desde 1,8 hasta 250 MHz
- Entrada y salida inigualables que permiten usar una amplia gama de frecuencias
- Dos versiones de conexión de pines opuestas (A y B) que se usan en una configuración en contrafase, de dos entradas para un rendimiento de banda ancha
- Caracterizado de 30 a 50 V
- Adecuado para aplicaciones lineales
- Protección ESD integrada con un mayor rango de tensión negativa en la fuente de la puerta para un mejor funcionamiento en Clase C
Especificaciones técnicas
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
133V
Disipación de Potencia
272W
Frecuencia Máx. de Funcionamiento
250MHz
Número de Pines
3Pins
Tipo de Canal
Canal N
Gama de Producto
MRF300AN; MRF300BN
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Corriente de Drenaje Continua Id
-
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
1.8MHz
Encapsulado del Transistor
TO-247
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.0025
Trazabilidad del producto