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MRF101AN
Transistor FET de RF, 133 V, 182 W, 1.8 MHz, 250 MHz, TO-220
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FabricanteNXP
Referencia del fabricanteMRF101AN
Código Farnell2985308
Rango de ProductoMRF101AN; MRF101BN
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 27,110 € |
| 5+ | 24,680 € |
| 10+ | 22,250 € |
| 50+ | 20,030 € |
| 100+ | 19,210 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
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Información del producto
FabricanteNXP
Referencia del fabricanteMRF101AN
Código Farnell2985308
Rango de ProductoMRF101AN; MRF101BN
Hoja de datos técnicos
Tensión Drenador-Fuente (Vds)133V
Corriente de Drenaje Continua Id-
Disipación de Potencia182W
Frecuencia mín. de funcionamiento1.8MHz
Frecuencia máx. de funcionamiento250MHz
Encapsulado del TransistorTO-220
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Gama de ProductoMRF101AN; MRF101BN
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
These devices are designed for use in VHF/UHF communications, VHF TV broadcast and aerospace applications as well as industrial, scientific and medical applications. The devices are exceptionally rugged and exhibit high performance up to 250 MHz.
- Mirror pinout versions (A and B) to simplify use in a push-pull, two-up configuration
- Characterized from 30 to 50 V
- Suitable for linear application
- Integrated ESD protection with greater negative gate-source voltage range for improved Class C operation
- Included in NXP product longevity program with assured supply for a minimum of 15 years after launch
Especificaciones técnicas
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
133V
Disipación de Potencia
182W
Frecuencia máx. de funcionamiento
250MHz
Número de pines
3Pins
Tipo de Canal
Canal N
Gama de Producto
MRF101AN; MRF101BN
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Corriente de Drenaje Continua Id
-
Frecuencia mín. de funcionamiento
1.8MHz
Encapsulado del Transistor
TO-220
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000907
Trazabilidad del producto