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AFT20S015GNR1
Transistor FET de RF, 65 V, 11 W, 1.805 GHz, 2.7 GHz, TO-270G
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FabricanteNXP
Referencia del fabricanteAFT20S015GNR1
Código Farnell2890592
Rango de ProductoAFT20S015GN
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 24,800 € |
| 5+ | 24,350 € |
| 10+ | 23,890 € |
| 50+ | 21,970 € |
| 100+ | 21,530 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
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Información del producto
FabricanteNXP
Referencia del fabricanteAFT20S015GNR1
Código Farnell2890592
Rango de ProductoAFT20S015GN
Hoja de datos técnicos
Tensión Drenador-Fuente (Vds)65V
Corriente de Drenaje Continua Id-
Disipación de Potencia11W
Frecuencia de Funcionamiento Mín.1.805GHz
Frecuencia Máx. de Funcionamiento2.7GHz
Encapsulado del TransistorTO-270G
Número de Pines2Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Gama de ProductoAFT20S015GN
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 horas
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
- N channel enhancement mode Lateral MOSFET, RF power LDMOS transistor
- Greater negative gate--source voltage range for improved Class C operation
- Designed for digital predistortion error correction systems
- Optimized for doherty applications
- 17.6dB typical power gain (VDD = 28VDC, IDQ = 132mA, Pout = 1.5W, TA = 25°C)
- Drain efficiency is 22.0% typical (VDD = 28VDC, IDQ = 132mA, Pout = 1.5W, TA = 25°C)
- Adjacent channel power ratio is -44.0dBc typical (VDD = 28VDC, IDQ = 132mA, Pout = 1.5W, TA = 25°C)
- Typical input return loss is -14dB (VDD = 28VDC, IDQ = 132mA, Pout = 1.5W, TA = 25°C)
- 0.05dB typical gain flatness in 60MHz bandwidth (at Pout = 1.5W Avg.)
- 2 bit TO--270G package, operating junction temperature range from -40°C to +225°C
Especificaciones técnicas
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
65V
Disipación de Potencia
11W
Frecuencia Máx. de Funcionamiento
2.7GHz
Número de Pines
2Pins
Tipo de Canal
Canal N
Gama de Producto
AFT20S015GN
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Corriente de Drenaje Continua Id
-
Frecuencia de Funcionamiento Mín.
1.805GHz
Encapsulado del Transistor
TO-270G
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 horas
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:United States
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:United States
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.0003
Trazabilidad del producto