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AFT09MS007NT1
Transistor FET de RF, 30 VDC, 114 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W
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Información del producto
FabricanteNXP
Referencia del fabricanteAFT09MS007NT1
Código Farnell2776255RL
Hoja de datos técnicos
Tensión Drenador-Fuente (Vds)30VDC
Corriente de Drenaje Continua Id-
Disipación de Potencia114W
Frecuencia mín. de funcionamiento136MHz
Frecuencia máx. de funcionamiento941MHz
Encapsulado del TransistorPLD-1.5W
Número de pines2Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Tipo de CanalCanal N
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Gama de Producto-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 horas
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
AFT09MS007NT1 is a RF power LDMOS transistor designed for handheld two way radio applications with frequencies from 136 to 941MHz. The high gain, ruggedness and wideband performance of this device makes it ideal for large signal, common source amplifier applications in handheld radio equipment. Typical applications output stage VHF band handheld radio, output stage UHF band handheld radio, output stage for 700–800MHz handheld radio.
- Unmatched input and output allowing wide frequency range utilization
- Integrated ESD protection
- Integrated stability enhancements
- Wideband full power across the band
- Exceptional thermal performance
- Extreme ruggedness
- High linearity for: TETRA, SSB
Especificaciones técnicas
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
30VDC
Disipación de Potencia
114W
Frecuencia máx. de funcionamiento
941MHz
Número de pines
2Pins
Tipo de Canal
Canal N
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Corriente de Drenaje Continua Id
-
Frecuencia mín. de funcionamiento
136MHz
Encapsulado del Transistor
PLD-1.5W
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 horas
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000858
Trazabilidad del producto