Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
2 Productos en Stock
¿Necesita más?
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 75,00 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
1+ | 345,310 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
345,31 € (Excl. IVA)
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteNXP
Referencia del fabricanteA3M35TL039-EVB
Código Farnell3923715
Hoja de datos técnicos
Fabricante del Núcleo de SilicioNXP
Número del Núcleo de SilicioA3M35TL039
Tipo de Aplicación de KitConectividad Inalámbrica
Subtipo de AplicaciónAmplificador de Potencia RF
Arquitectura del Núcleo-
Subarquitectura del Núcleo-
Familia del Núcleo de Silicio-
Contenido del KitPlaca de Evaluación A3M35TL039
Gama de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Resumen del producto
A3M35TL039-EVB is a A3M35TL039 3400-3650MHz reference circuit. The A3M35TL039 is a fully integrated Doherty power amplifier module designed for wireless infrastructure applications that demand high performance in the smallest footprint. Ideal for applications in massive MIMO systems, outdoor small cells and low power remote radio heads. The field−proven LDMOS power amplifiers are designed for TDD and FDD LTE systems.
- 7W average power
- Advanced high performance in-package Doherty
- Fully matched (50 ohm input/output, DC blocked)
- Designed for low complexity analogue or digital linearization systems
Especificaciones técnicas
Fabricante del Núcleo de Silicio
NXP
Tipo de Aplicación de Kit
Conectividad Inalámbrica
Arquitectura del Núcleo
-
Familia del Núcleo de Silicio
-
Gama de Producto
-
Número del Núcleo de Silicio
A3M35TL039
Subtipo de Aplicación
Amplificador de Potencia RF
Subarquitectura del Núcleo
-
Contenido del Kit
Placa de Evaluación A3M35TL039
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa84733020
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (27-Jun-2024)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.02