Imprimir página
PMGD290UCEAX
MOSFET Doble, Canal complementario N y P, 20 V, 20 V, 725 mA, 725 mA, 0.29 ohm
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
25.309 Productos en Stock
¿Necesita más?
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 0,00 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,436 € |
| 10+ | 0,271 € |
| 100+ | 0,172 € |
| 500+ | 0,129 € |
| 1000+ | 0,110 € |
| 5000+ | 0,0901 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 5
Múltiplo: 5
2,18 € (Excl. IVA)
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteNEXPERIA
Referencia del fabricantePMGD290UCEAX
Código Farnell2357127
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal complementario N y P
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N20V
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N725mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P725mA
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N0.29ohm
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P0.29ohm
Encapsulado del TransistorSOT-363
Número de pines6Pins
Disipación de Potencia Canal N445mW
Disipación de Potencia Canal P445mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The PMGD290UCEA is a complementary N/P-channel enhancement-mode FET in a very small surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for relay driver, high-speed line driver, low-side load-switch and switching circuit applications.
- Very fast switching characteristics
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal complementario N y P
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
725mA
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P
0.29ohm
Número de pines
6Pins
Disipación de Potencia Canal P
445mW
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
725mA
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N
0.29ohm
Encapsulado del Transistor
SOT-363
Disipación de Potencia Canal N
445mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00001