Imprimir página
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
1520 Productos en Stock
¿Necesita más?
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 75,000 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
5+ | 0,388 € |
10+ | 0,247 € |
100+ | 0,132 € |
500+ | 0,118 € |
1000+ | 0,0935 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 5
Múltiplo: 5
1,94 € (Excl. IVA)
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteNEXPERIA
Referencia del fabricantePMDXB1200UPEZ
Código Farnell2498566
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N30V
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N410mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P410mA
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N1.2ohm
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P1.2ohm
Encapsulado del TransistorDFN1010B
Número de Pines6Pins
Disipación de Potencia Canal N285mW
Disipación de Potencia Canal P285mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
410mA
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P
1.2ohm
Número de Pines
6Pins
Disipación de Potencia Canal P
285mW
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
410mA
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N
1.2ohm
Encapsulado del Transistor
DFN1010B
Disipación de Potencia Canal N
285mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00007
Trazabilidad del producto