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PMDT290UCE,115
MOSFET Doble, Canal complementario N y P, 20 V, 20 V, 800 mA, 800 mA, 0.29 ohm
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FabricanteNEXPERIA
Referencia del fabricantePMDT290UCE,115
Código Farnell2069553
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,517 € |
| 10+ | 0,318 € |
| 100+ | 0,205 € |
| 500+ | 0,152 € |
| 1000+ | 0,127 € |
| 5000+ | 0,0929 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 5
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
Referencia del fabricantePMDT290UCE,115
Código Farnell2069553
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal complementario N y P
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N20V
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N800mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P800mA
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N0.29ohm
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P0.29ohm
Encapsulado del TransistorSOT-666
Número de pines6Pins
Disipación de Potencia Canal N330mW
Disipación de Potencia Canal P330mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The PMDT290UCE is a N/P-channel complementary enhancement-mode FET in an ultra small and flat lead surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for relay driver, high-speed line driver, low-side load-switch and switching circuit applications.
- Very fast switching characteristics
- ESD protection up to 2kV
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal complementario N y P
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
800mA
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P
0.29ohm
Número de pines
6Pins
Disipación de Potencia Canal P
330mW
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N
20V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
800mA
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N
0.29ohm
Encapsulado del Transistor
SOT-666
Disipación de Potencia Canal N
330mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000001
Trazabilidad del producto