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PHPT610035PKX
Array de Transistores Bipolares, PNP Doble, 100 V, 3 A
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 1,130 € |
| 10+ | 0,782 € |
| 50+ | 0,652 € |
| 200+ | 0,522 € |
| 500+ | 0,415 € |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
Referencia del fabricantePHPT610035PKX
Código Farnell2498612
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorPNP Doble
Tensión Máx Colecto-Emisor NPN-
Tensión Máx de Colector-Emisor PNP100V
Corriente de Colector Continua NPN-
Corriente de Colector Continua PNP3A
Disipación de Potencia NPN-
Disipación de Potencia PNP1.25W
Ganancia de Corriente CC hFE Mín NPN-
Ganancia de Corriente CC hFE Mín PNP10hFE
Encapsulado del TransistorSOT-1205
Número de Pines8Pins
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Frecuencia de Transición NPN-
Frecuencia de Transición PNP125MHz
Gama de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Resumen del producto
Estos transistores bipolares de alta potencia en encapsulados LFPAK56 (Power-S08/SOT669) suministran un rendimiento térmico y eléctrico similar al de los DPAK con la mitad de la superficie impresa. Ofrecen un rendimiento fiable con eficiencia energética, tienen certificación AEC-Q101 y soportan operación a alta temperatura (175°C).
- Alta disipación de potencia (Ptot)
- Adecuado para aplicaciones de alta temperatura (175°C)
- Encapsulado con contorno de 5 x 6mm que ahorra espacio, con la mitad del tamaño de los transistores DPAK, SOT223 y con otros encapsulados
- Bajo perfil (1mm)
- Alta fiabilidad y robustez mecánica gracias al clip de cobre sólido (sin hilos)
- Alta eficiencia energética gracias a la baja generación de calor
- Certificación AEC-Q101
- Gama en crecimiento
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
PNP Doble
Tensión Máx de Colector-Emisor PNP
100V
Corriente de Colector Continua PNP
3A
Disipación de Potencia PNP
1.25W
Ganancia de Corriente CC hFE Mín PNP
10hFE
Número de Pines
8Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Frecuencia de Transición PNP
125MHz
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Tensión Máx Colecto-Emisor NPN
-
Corriente de Colector Continua NPN
-
Disipación de Potencia NPN
-
Ganancia de Corriente CC hFE Mín NPN
-
Encapsulado del Transistor
SOT-1205
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Frecuencia de Transición NPN
-
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00003
Trazabilidad del producto