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PBSS5230T,215
Transistor de Unión Bipolar Único, PNP, 30 V, 2 A, 300 mW, SOT-23, Montaje Superficial
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,419 € |
| 10+ | 0,266 € |
| 100+ | 0,168 € |
| 500+ | 0,117 € |
| 1000+ | 0,0994 € |
| 5000+ | 0,0903 € |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
Referencia del fabricantePBSS5230T,215
Código Farnell8736464
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorPNP
Tensión Colector-Emisor Máx30V
Corriente de Colector Continua2A
Disipación de Potencia300mW
Encapsulado del TransistorSOT-23
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Número de Pines3Pins
Frecuencia de Transición200MHz
Mín. Ganancia de Corriente Continua hFE450hFE
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
PNP
Corriente de Colector Continua
2A
Encapsulado del Transistor
SOT-23
Número de Pines
3Pins
Mín. Ganancia de Corriente Continua hFE
450hFE
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Tensión Colector-Emisor Máx
30V
Disipación de Potencia
300mW
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Frecuencia de Transición
200MHz
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000008
Trazabilidad del producto