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PBSS4140DPN,115
Array de Transistores Bipolares, Propósito General, NPN, PNP, 40 V, 40 V, 1 A, 1 A, 370 mW
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FabricanteNEXPERIA
Referencia del fabricantePBSS4140DPN,115
Código Farnell8739900RL
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
Referencia del fabricantePBSS4140DPN,115
Código Farnell8739900RL
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorNPN, PNP
Tensión Máx Colecto-Emisor NPN40V
Tensión Máx de Colector-Emisor PNP40V
Corriente de Colector Continua NPN1A
Corriente de Colector Continua PNP1A
Disipación de Potencia NPN370mW
Disipación de Potencia PNP370mW
Ganancia de Corriente CC hFE Mín NPN300hFE
Ganancia de Corriente CC hFE Mín PNP300hFE
Encapsulado del TransistorSOT-457
Número de Pines6Pins
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Frecuencia de Transición NPN150MHz
Frecuencia de Transición PNP150MHz
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The PBSS4140DPN is a NPN-PNP low VCEsat Bipolar Transistor Array in a plastic package replaces two SOT23 packaged low VCEsat transistors on same PCB area. It is suitable for use in general purpose switching and muting, LCD backlighting, supply line switching circuits, battery driven equipment in mobile phones, video cameras and hand-held devices.
- Low collector-emitter saturation voltage
- High current capability
- Improved device reliability due to reduced heat generation
- Reduces required PCB area
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
NPN, PNP
Tensión Máx de Colector-Emisor PNP
40V
Corriente de Colector Continua PNP
1A
Disipación de Potencia PNP
370mW
Ganancia de Corriente CC hFE Mín PNP
300hFE
Número de Pines
6Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Frecuencia de Transición PNP
150MHz
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Máx Colecto-Emisor NPN
40V
Corriente de Colector Continua NPN
1A
Disipación de Potencia NPN
370mW
Ganancia de Corriente CC hFE Mín NPN
300hFE
Encapsulado del Transistor
SOT-457
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Frecuencia de Transición NPN
150MHz
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00007
Trazabilidad del producto