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PBLS6023D,115
Array de Transistores Bipolares, NPN, PNP, 60 V, 60 V, 1.5 A, 1.5 A, 480 mW
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,572 € |
| 10+ | 0,370 € |
| 100+ | 0,255 € |
| 500+ | 0,197 € |
| 1000+ | 0,167 € |
| 5000+ | 0,155 € |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
Referencia del fabricantePBLS6023D,115
Código Farnell1829333
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorNPN, PNP
Tensión Máx Colecto-Emisor NPN60V
Tensión Máx de Colector-Emisor PNP60V
Corriente de Colector Continua NPN1.5A
Corriente de Colector Continua PNP1.5A
Disipación de Potencia NPN480mW
Disipación de Potencia PNP480mW
Ganancia de Corriente CC hFE Mín NPN285hFE
Ganancia de Corriente CC hFE Mín PNP285hFE
Encapsulado del TransistorSOT-457
Número de Pines6Pins
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Frecuencia de Transición NPN-
Frecuencia de Transición PNP150MHz
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The PBLS6023D is a 1.5A PNP breakthrough-in small signal (BISS) Transistor housed in a surface-mount plastic package.
- Low VCEsat and resistor-equipped transistor in one package
- Space-saving solution
- Reduction of component count
- AEC-Q101 qualified
- Low threshold voltage (<lt/>1V) compared to MOSFET
- KG Marking code
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
NPN, PNP
Tensión Máx de Colector-Emisor PNP
60V
Corriente de Colector Continua PNP
1.5A
Disipación de Potencia PNP
480mW
Ganancia de Corriente CC hFE Mín PNP
285hFE
Número de Pines
6Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Frecuencia de Transición PNP
150MHz
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Máx Colecto-Emisor NPN
60V
Corriente de Colector Continua NPN
1.5A
Disipación de Potencia NPN
480mW
Ganancia de Corriente CC hFE Mín NPN
285hFE
Encapsulado del Transistor
SOT-457
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Frecuencia de Transición NPN
-
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000011
Trazabilidad del producto