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NX3008NBKW,115
MOSFET de Potencia, Canal N, 30 V, 350 mA, 1 ohm, SOT-323, Montaje Superficial
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FabricanteNEXPERIA
Referencia del fabricanteNX3008NBKW,115
Código Farnell2069546
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,248 € |
| 10+ | 0,163 € |
| 100+ | 0,0892 € |
| 500+ | 0,0634 € |
| 1000+ | 0,0456 € |
| 5000+ | 0,0346 € |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
Referencia del fabricanteNX3008NBKW,115
Código Farnell2069546
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)30V
Corriente de Drenaje Continua Id350mA
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor1ohm
Encapsulado del TransistorSOT-323
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)4.5V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente900mV
Disipación de Potencia260mW
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The NX3008NBKW is a N-channel enhancement-mode FET in a small surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for use in relay driver, low-side load-switch, high-speed line driver and switching circuit applications.
- Very fast switching
- ESD protection up to 2kV
- Low threshold voltage
- AEC-Q101 qualified
- -55 to 150°C Junction temperature range
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Corriente de Drenaje Continua Id
350mA
Encapsulado del Transistor
SOT-323
Tensión de Prueba Rds(on)
4.5V
Disipación de Potencia
260mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
30V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
1ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
900mV
Número de pines
3Pins
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000051
Trazabilidad del producto