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FabricanteNEXPERIA
Referencia del fabricanteNX3008NBKS,115
Código Farnell2069542
Hoja de datos técnicos
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Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
5+ | 0,365 € |
50+ | 0,186 € |
100+ | 0,108 € |
500+ | 0,0948 € |
1500+ | 0,0672 € |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
Referencia del fabricanteNX3008NBKS,115
Código Farnell2069542
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N30V
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N350mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P350mA
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N1ohm
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P1ohm
Encapsulado del TransistorSOT-363
Número de pines6Pins
Disipación de Potencia Canal N445mW
Disipación de Potencia Canal P445mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
El NX3008NBKS es un transistor de efecto de campo (FET) de modo mejorado con canal N doble en un encapsulado plástico de montaje superficial (SMD) que emplea tecnología MOSFET de zanja. Es apto para controlador de línea de alta velocidad e interruptor de carga de lado bajo.
- Conmutación muy rápida
- Baja tensión umbral
- Protección ESD hasta 2kV
- Certificación AEC-Q101
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
350mA
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P
1ohm
Número de pines
6Pins
Disipación de Potencia Canal P
445mW
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N
30V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
350mA
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N
1ohm
Encapsulado del Transistor
SOT-363
Disipación de Potencia Canal N
445mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000005