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NSF080120D7A0J
MOSFET de Carburo de Silicio, Simple, Canal N, 33 A, 1.2 kV, 0.064 ohm, TO-263
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FabricanteNEXPERIA
Referencia del fabricanteNSF080120D7A0J
Código Farnell4416134RL
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 10+ | 9,730 € |
| 50+ | 9,080 € |
| 100+ | 8,420 € |
| 250+ | 8,250 € |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
Referencia del fabricanteNSF080120D7A0J
Código Farnell4416134RL
Hoja de datos técnicos
Corriente de Drenaje Continua Id33A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)1.2kV
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.064ohm
Número de pines7Pins
Tensión de Prueba Rds(on)18V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente2.9V
Disipación de Potencia167W
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Corriente de Drenaje Continua Id
33A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.064ohm
Tensión de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
167W
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
1.2kV
Número de pines
7Pins
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
2.9V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.001504
Trazabilidad del producto