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FabricanteNEXPERIA
Referencia del fabricanteNSF040120D7A1-QJ
Código Farnell4719791
Hoja de datos técnicos
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Cantidad | Precio (sin IVA) |
---|---|
1+ | 10,650 € |
5+ | 9,470 € |
10+ | 8,270 € |
50+ | 7,880 € |
100+ | 7,410 € |
250+ | 7,200 € |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
Referencia del fabricanteNSF040120D7A1-QJ
Código Farnell4719791
Hoja de datos técnicos
Configuración de Módulo MOSFETSimple
Tipo de CanalCanal N
Corriente de Drenaje Continua Id54A
Tensión Drenador-Fuente (Vds)1.2kV
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.06ohm
Encapsulado del TransistorTO-263
Número de pines7Pins
Tensión de Prueba Rds(on)18V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente2.9V
Disipación de Potencia250W
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Gama de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Configuración de Módulo MOSFET
Simple
Corriente de Drenaje Continua Id
54A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.06ohm
Número de pines
7Pins
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
2.9V
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
1.2kV
Encapsulado del Transistor
TO-263
Tensión de Prueba Rds(on)
18V
Disipación de Potencia
250W
Gama de Producto
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Pendiente
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Pendiente
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000001
Trazabilidad del producto