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NGW40T65M3DFPQ
IGBT, 72 A, 1.5 V, 283 W, 650 V, TO-247, 3 Pines
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FabricanteNEXPERIA
Referencia del fabricanteNGW40T65M3DFPQ
Código Farnell4550968
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 5,780 € |
| 10+ | 3,860 € |
| 100+ | 3,780 € |
| 500+ | 3,710 € |
| 1000+ | 3,630 € |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
Referencia del fabricanteNGW40T65M3DFPQ
Código Farnell4550968
Hoja de datos técnicos
Corriente de Colector Continua72A
Tensión de Saturación de Colector-Emisor1.5V
Disipación de Potencia283W
Tensión Colector-Emisor Máx650V
Encapsulado del TransistorTO-247
Número de pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.175°C
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Gama de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Resumen del producto
NGW40T65M3DFPQ is a 650V, 40A trench field-stop IGBT with full rated silicon diode in a 3 pin TO-247 package. It is a robust Insulated-Gate Bipolar Transistor (IGBT) featuring third-generation technology. It combines carrier stored trench-gate and field-stop (FS) structures. The NGW75T65M3DFP is rated to 175°C with optimized IGBT turn-off losses, and has a short-circuit withstand time of 5μs. This hard-switching 650V, 50A IGBT is optimized for high-voltage, high-frequency industrial power inverter applications and servo motor drive applications.
- Low conduction and switching losses
- Stable and tight parameters for easy parallel operation
- Fully rated and soft fast reverse recovery diode
- HV-H3TRB qualified
Especificaciones técnicas
Corriente de Colector Continua
72A
Disipación de Potencia
283W
Encapsulado del Transistor
TO-247
Temperatura de Funcionamiento Máx.
175°C
Gama de Producto
-
Tensión de Saturación de Colector-Emisor
1.5V
Tensión Colector-Emisor Máx
650V
Número de pines
3Pins
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00001