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GAN190-650FBEZ
Transistor GaN (Nitruro de Galio), 650 V, 11.5 A, 0.138 ohm, 2.8 nC, DFN5060, Montaje Superficial
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FabricanteNEXPERIA
Referencia del fabricanteGAN190-650FBEZ
Código Farnell4198482RL
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 100+ | 2,720 € |
| 500+ | 2,300 € |
| 1000+ | 2,130 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
Referencia del fabricanteGAN190-650FBEZ
Código Farnell4198482RL
Hoja de datos técnicos
Tensión Drenador-Fuente (Vds)650V
Corriente de Drenaje Continua Id11.5A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.138ohm
Carga de Puerta Típica2.8nC
Encapsulado del TransistorDFN5060
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Número de Pines8Pins
Gama de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
650V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.138ohm
Encapsulado del Transistor
DFN5060
Número de Pines
8Pins
Calificación
-
Corriente de Drenaje Continua Id
11.5A
Carga de Puerta Típica
2.8nC
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000833
Trazabilidad del producto