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GAN041-650WSBQ
Transistor GaN (Nitruro de Galio), 650 V, 47.2 A, 0.041 ohm, 22 nC, TO-247, Orificio Pasante
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FabricanteNEXPERIA
Referencia del fabricanteGAN041-650WSBQ
Código Farnell3759053
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 13,780 € |
| 5+ | 13,130 € |
| 10+ | 12,470 € |
| 50+ | 11,610 € |
| 100+ | 10,740 € |
| 250+ | 10,530 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
Referencia del fabricanteGAN041-650WSBQ
Código Farnell3759053
Hoja de datos técnicos
Tensión Drenador-Fuente (Vds)650V
Corriente de Drenaje Continua Id47.2A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.041ohm
Carga de Puerta Típica22nC
Encapsulado del TransistorTO-247
Montaje de TransistorOrificio Pasante
Número de pines3Pins
Gama de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
GAN041-650WSBQ is a 650V, 35mohm Gallium Nitride (GaN) FET in a TO-247 package. It is a normally-off device that combines Nexperia’s latest high-voltage GaN HEMT H2 technology and low-voltage silicon MOSFET technologies — offering superior reliability and performance. The applications include hard and soft switching converters for industrial and datacom power, bridgeless totempole PFC, PV, and UPS inverters, and servo motor drives.
- Ultra-low reverse recovery charge, simple gate drive (0V to +10V or 12V), robust gate oxide (±20V)
- High gate threshold voltage (+4V) for very good gate bounce immunity
- Very low source-drain voltage in reverse conduction mode, transient over-voltage capability (800V)
- Drain-source voltage is 650V max (55°C ≤ Tj ≤ 175°C)
- Drain current is 47.2A max (VGS = 10V; Tmb = 25°C), total power dissipation is 187W max (Tmb = 25°C)
- Drain-source on-state resistance is 35mohm typ (VGS = 10V; ID = 32A; Tj = 25°C)
- Gate-drain charge is 6.6nC typ (ID = 32A; VDS = 400V; VGS = 10V; Tj = 25°C)
- Total gate charge is 22nC typ (ID = 32A; VDS = 400V; VGS = 10V; Tj = 25°C)
- Recovered charge is 150nC typ (IS = 32A; dIS/dt = -1000A/µs; VGS = 0V; VDS = 400V)
- 3 leads SOT429 package, junction temperature range from -55 to 175°C
Especificaciones técnicas
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
650V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.041ohm
Encapsulado del Transistor
TO-247
Número de pines
3Pins
Calificación
-
Corriente de Drenaje Continua Id
47.2A
Carga de Puerta Típica
22nC
Montaje de Transistor
Orificio Pasante
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.004749
Trazabilidad del producto