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GAN039-650NTBJ
Transistor GaN (Nitruro de Galio), 650 V, 58.5 A, 0.039 ohm, 26 nC, CCPAK1212i
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FabricanteNEXPERIA
Referencia del fabricanteGAN039-650NTBJ
Código Farnell4550979
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 11,730 € |
| 5+ | 11,020 € |
| 10+ | 10,300 € |
| 50+ | 10,290 € |
| 100+ | 9,320 € |
| 250+ | 9,130 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
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Múltiplo: 1
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
Referencia del fabricanteGAN039-650NTBJ
Código Farnell4550979
Hoja de datos técnicos
Tensión Drenador-Fuente (Vds)650V
Corriente de Drenaje Continua Id58.5A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.039ohm
Carga de Puerta Típica26nC
Encapsulado del TransistorCCPAK1212i
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Número de Pines12Pins
Gama de Producto-
Calificación-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Especificaciones técnicas
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
650V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.039ohm
Encapsulado del Transistor
CCPAK1212i
Número de Pines
12Pins
Calificación
-
Corriente de Drenaje Continua Id
58.5A
Carga de Puerta Típica
26nC
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Philippines
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:Lead (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00001
Trazabilidad del producto