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BSS138BKS,115
MOSFET Doble, Trinchera, Canal N, 60 V, 60 V, 320 mA, 320 mA, 1 ohm
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FabricanteNEXPERIA
Referencia del fabricanteBSS138BKS,115
Código Farnell2575105RL
Hoja de datos técnicos
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
Referencia del fabricanteBSS138BKS,115
Código Farnell2575105RL
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N60V
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N320mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P320mA
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N1ohm
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P1ohm
Encapsulado del TransistorSOT-363
Número de pines6Pins
Disipación de Potencia Canal N280mW
Disipación de Potencia Canal P280mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The BSS138BKS is a dual N-channel enhancement-mode FET in a surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for relay driver, high-speed line driver, low-side load-switch and switching circuit applications.
- Logic-level compatible
- Very fast switching
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
320mA
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P
1ohm
Número de pines
6Pins
Disipación de Potencia Canal P
280mW
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
320mA
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N
1ohm
Encapsulado del Transistor
SOT-363
Disipación de Potencia Canal N
280mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00002
Trazabilidad del producto