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BSP60,115
Transistor Darlington, Darlington, PNP, 45 V, 1.25 W, 1 A, SOT-223, 4 Pines
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
Referencia del fabricanteBSP60,115
Código Farnell3439636RL
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorPNP
Tensión Colector-Emisor Máx45V
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo45V
Disipación de Potencia Pd1.25W
Corriente de Colector Continua1A
Disipación de Potencia1.25W
Corriente de Colector DC1A
Encapsulado del Transistor RFSOT-223
Número de pines4Pins
Ganancia de Corriente DC hFE2000hFE
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Mín. ganancia de corriente continua hFE2000hFE
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Alternativas para BSP60,115
Se ha encontrado 1 producto
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
PNP
Tensión de Colector a Emisor V(br)ceo
45V
Corriente de Colector Continua
1A
Corriente de Colector DC
1A
Número de pines
4Pins
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Tensión Colector-Emisor Máx
45V
Disipación de Potencia Pd
1.25W
Disipación de Potencia
1.25W
Encapsulado del Transistor RF
SOT-223
Ganancia de Corriente DC hFE
2000hFE
Mín. ganancia de corriente continua hFE
2000hFE
Gama de Producto
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Malaysia
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.00001
Trazabilidad del producto