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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
Referencia del fabricanteBFS20,215
Código Farnell8735000
Hoja de datos técnicos
Polaridad de TransistorNPN
Tensión Colector-Emisor Máx20V
Frecuencia de Transición275MHz
Disipación de Potencia250mW
Corriente de Colector Continua25mA
Encapsulado del TransistorSOT-23
Número de pines3Pins
Mín. ganancia de corriente continua hFE40hFE
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
CalificaciónAEC-Q101
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
BFS20,215 is a NPN medium frequency transistor for IF and VHF thick and thin-film circuit applications.
- Collector-base cut-off current is 100nA max at IE = 0; VCB = 20V, Tj = 25°C
- Emitter-base cut-off current is 100nA max at IC = 0; VEB = 4V
- DC current gain is 85 typ at IC = 7mA; VCE = 10V
- Base-emitter voltage is 740mV typ at IC = 7mA; VCE = 10V
- Collector capacitance is 1pF typ at IE = Ie = 0; VCB = 10V; f = 1MHz
- Feedback capacitance is 350fF typ at IC = 0; VCB = 10V; f = 1MHz
- Transition frequency is 450MHz typ at IC = 5mA; VCE = 10V; f = 100MHz
- Thermal resistance from junction to ambient is 500K/W
- SOT23 plastic package
- Operating ambient temperature range from -65 to +150°C
Especificaciones técnicas
Polaridad de Transistor
NPN
Frecuencia de Transición
275MHz
Corriente de Colector Continua
25mA
Número de pines
3Pins
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Tensión Colector-Emisor Máx
20V
Disipación de Potencia
250mW
Encapsulado del Transistor
SOT-23
Mín. ganancia de corriente continua hFE
40hFE
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
AEC-Q101
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (3)
Productos asociados
2 productos encontrados
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000008
Trazabilidad del producto