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2N7002PS,115
MOSFET Doble, Canal N, 60 V, 320 mA, 1 ohm
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,276 € |
| 10+ | 0,150 € |
| 100+ | 0,081 € |
| 500+ | 0,0719 € |
| 1000+ | 0,049 € |
| 5000+ | 0,0455 € |
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Información del producto
FabricanteNEXPERIA
Referencia del fabricante2N7002PS,115
Código Farnell1859846
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N60V
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N320mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N1ohm
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P-
Encapsulado del TransistorSOT-363
Número de pines6Pins
Disipación de Potencia Canal N320mW
Disipación de Potencia Canal P-
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
The 2N7002PS is a dual N-channel enhancement-mode MOSFET designed in a very small surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for use in relay driver, high-speed line driver, low-side load-switch and switching circuits.
- Logic-level compatible
- Very fast switching
- AEC-Q101 qualified
Advertencias
La demanda de este producto en el mercado ha extendido los plazos de fabricación, por lo que las fechas de entrega pueden fluctuar
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P
-
Número de pines
6Pins
Disipación de Potencia Canal P
-
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
320mA
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N
1ohm
Encapsulado del Transistor
SOT-363
Disipación de Potencia Canal N
320mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documentos técnicos (1)
Productos asociados
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Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000005
Trazabilidad del producto