Imprimir página
2N7002BKV,115
MOSFET Doble, Canal N, 60 V, 340 mA, 1 ohm
La imagen solo tiene fines ilustrativos. Consulte la descripción del producto.
FabricanteNEXPERIA
Referencia del fabricante2N7002BKV,115
Código Farnell1859844RL
Hoja de datos técnicos
3132 Productos en Stock
¿Necesita más?
Envío EXPRÉS con entrega en 1-2 días laborables
Realice su pedido antes de las 17:00 horas
Envío GRATUITO disponible
para pedidos superiores a 0,00 €
El plazo de entrega se calcula al procesar el pago.
| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 50+ | 0,264 € |
| 250+ | 0,126 € |
| 1000+ | 0,106 € |
| 2000+ | 0,0902 € |
Precio para:Cada (Empaquetado en Cinta Cortada)
Mínimo: 100
Múltiplo: 5
31,40 € (Excl. IVA)
Se añadirá un cargo de 5,00 € por los rollos a medida para este producto
Añadir referencia del producto / nota de línea
Se han añadido a la confirmación de pedido, la factura y el albarán solo para este pedido.
Este número se añadirá a la confirmación del pedido, la factura, el albarán, el e-mail de confirmación del pedido y la etiqueta del producto.
Información del producto
FabricanteNEXPERIA
Referencia del fabricante2N7002BKV,115
Código Farnell1859844RL
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal N
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N60V
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N340mA
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P-
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N1ohm
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P-
Encapsulado del TransistorSOT-666
Número de pines6Pins
Disipación de Potencia Canal N525mW
Disipación de Potencia Canal P-
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de Producto-
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 1 - Ilimitado
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Resumen del producto
The 2N7002BKV is a dual N-channel enhancement-mode FET in a surface-mount plastic package using Trench MOSFET technology. It is suitable for relay driver, high-speed line driver, low-side load-switch and switching circuit applications.
- Logic-level compatible
- Very fast switching
Advertencias
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal N
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal P
-
Corriente de Drenaje Continua Id Canal P
-
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal P
-
Número de pines
6Pins
Disipación de Potencia Canal P
-
Gama de Producto
-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 1 - Ilimitado
Tensión Drenaje-Fuente Vds Canal N
60V
Corriente de Drenaje Continua Id Canal N
340mA
Resistencia de Encendido Fuente a Drenaje Canal N
1ohm
Encapsulado del Transistor
SOT-666
Disipación de Potencia Canal N
525mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documentos técnicos (3)
Productos asociados
Se ha encontrado 1 producto
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:China
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (25-Jun-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000907
Trazabilidad del producto