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CDM2319DS
MOSFET de Potencia, Canal P, 40 V, 2.3 A, 0.07 ohm, SOT-23, Montaje Superficial
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FabricanteMULTICOMP PRO
Referencia del fabricanteCDM2319DS
Código Farnell4140857
Rango de ProductoMulticomp Pro MOSFETs P-Channel
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 5+ | 0,371 € |
| 10+ | 0,297 € |
| 100+ | 0,212 € |
| 500+ | 0,137 € |
| 1000+ | 0,0975 € |
| 5000+ | 0,0855 € |
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Información del producto
FabricanteMULTICOMP PRO
Referencia del fabricanteCDM2319DS
Código Farnell4140857
Rango de ProductoMulticomp Pro MOSFETs P-Channel
Hoja de datos técnicos
Tipo de CanalCanal P
Tensión Drenador-Fuente (Vds)40V
Corriente de Drenaje Continua Id2.3A
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor0.07ohm
Encapsulado del TransistorSOT-23
Montaje de TransistorMontaje Superficial
Tensión de Prueba Rds(on)10V
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente3V
Disipación de Potencia750mW
Número de Pines3Pins
Temperatura de Funcionamiento Máx.150°C
Gama de ProductoMulticomp Pro MOSFETs P-Channel
Calificación-
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Resumen del producto
P-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology.
- High density cell design for extremely low RDS(on)
- Rugged and Reliable
- Logic-level compatible
- Very fast switching
- Trench MOSFET technology
Especificaciones técnicas
Tipo de Canal
Canal P
Corriente de Drenaje Continua Id
2.3A
Encapsulado del Transistor
SOT-23
Tensión de Prueba Rds(on)
10V
Disipación de Potencia
750mW
Temperatura de Funcionamiento Máx.
150°C
Calificación
-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensión Drenador-Fuente (Vds)
40V
Resistencia Drenaje-Fuente en Estado Conductor
0.07ohm
Montaje de Transistor
Montaje Superficial
Máx. Tensión Umbral Puerta-Fuente
3V
Número de Pines
3Pins
Gama de Producto
Multicomp Pro MOSFETs P-Channel
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
-
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Hong Kong
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Hong Kong
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (21-Jan-2025)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.01