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MTFC256GASAONS-IT
Memoria Flash, UFS NAND, 2048 Gbit, 256G x 8bit, Paralelo, TFBGA, 153 Pines
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FabricanteMICRON
Referencia del fabricanteMTFC256GASAONS-IT
Código Farnell3861347
Rango de Producto3.3V UFS NAND Flash Memories
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 62,980 € |
| 5+ | 60,000 € |
| 10+ | 57,000 € |
| 25+ | 52,700 € |
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Información del producto
FabricanteMICRON
Referencia del fabricanteMTFC256GASAONS-IT
Código Farnell3861347
Rango de Producto3.3V UFS NAND Flash Memories
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria FlashUFS NAND
Densidad de Memoria2048Gbit
Configuración de Memoria256G x 8bit
InterfacesParalelo
Encapsulado del CITFBGA
Número de pines153Pins
Frecuencia de Reloj Máx.400MHz
Tiempo de Acceso-
Tensión de Alimentación Mín.2.7V
Tensión de Alimentación Máx.3.6V
Tensión de Alimentación Nominal-
Montaje de CirucitoMontaje en superficie
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Funcionamiento Máx.95°C
Gama de Producto3.3V UFS NAND Flash Memories
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 horas
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Resumen del producto
MTFC256GASAONS-IT is a v2.1 universal flash storage (UFS) memory device.
- Universal flash storage (UFS) controller and NAND flash
- Voltage range from 2.7 to 3.6VCC, VCCQ2 range from 1.7 to 1.95V
- Advanced 6-signal interface, differential I/O pins, 2 lanes supported
- High speed: gear 1/2/3 supported, permanent and power-on write protection
- Boot operation (high-speed boot), sleep mode, replay-protected memory block (RPMB)
- Background operation, reliable write, discard/Erase, command queuing
- Temperature event notification
- Retention qualifications - 5 years at 55°C at 10% of PE/1 year at 55°C at maximum PE
- 256GB density, 32Gbit NAND component
- 153-ball TFBGA package, operating temperature range from -40 to + 95°C
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
UFS NAND
Configuración de Memoria
256G x 8bit
Encapsulado del CI
TFBGA
Frecuencia de Reloj Máx.
400MHz
Tensión de Alimentación Mín.
2.7V
Tensión de Alimentación Nominal
-
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Gama de Producto
3.3V UFS NAND Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Dec-2015)
Densidad de Memoria
2048Gbit
Interfaces
Paralelo
Número de pines
153Pins
Tiempo de Acceso
-
Tensión de Alimentación Máx.
3.6V
Montaje de Cirucito
Montaje en superficie
Temperatura de Funcionamiento Máx.
95°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 horas
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Singapore
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Singapore
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85423290
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Dec-2015)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000751