MTA8ATF1G64HZ-3G2R1

MTA8ATF1G64HZ-3G2R1 es un módulo SDRAM DDR4 de alta velocidad que utiliza dispositivos SDRAM DDR4 con dos o cuatro grupos de bancos de memoria internos. El módulo SDRAM DDR4 que utiliza dispositivos SDRAM DDR4 de 4 y 8 bits de ancho tiene cuatro grupos de bancos internos que constan de cuatro bancos de memoria cada uno, lo que proporciona un total de 16 bancos. El dispositivo SDRAM DDR4 de 16 bits de ancho tiene dos grupos de bancos internos que constan de cuatro bancos de memoria cada uno, lo que proporciona un total de ocho bancos. Los módulos SDRAM DDR4 se benefician del uso de una arquitectura 8n-prefetch con una interfaz diseñada para transferir dos palabras de datos por ciclo de reloj en los pines de E/S. Una única operación de LECTURA o ESCRITURA para la SDRAM DDR4 consiste en una única transferencia de datos de 8n bits y cuatro ciclos de reloj en el núcleo interno de la DRAM y ocho transferencias de datos correspondientes de n bits y medio ciclo de reloj en los pines de E/S. El módulo DDR4 utiliza dos conjuntos de señales diferenciales: DQS-t y DQS-c para capturar datos y CK-t y CK-c para capturar comandos, direcciones y señales de control.

• Densidad de módulo 8GB, configuración 1 Gig x 64, ancho de banda de modulación 25,6GB/s
• 0,62Ns/reloj de memoria 3200 MT/s/velocidad de datos, ciclos de reloj 22-22-22 (CL-tRCD-tRP)
• La tensión de alimentación VDD oscila entre 1,14 y 1,26 V, la alimentación de activación de la DRAM oscila entre 2,375 y 2,75 V.
• Terminación en dado (ODT) nominal y dinámica para datos, estroboscopio y señales de máscara
• Autorrecuperación automática de bajo consumo (LPASR), inversión del bus de datos (DBI) para el bus de datos
• Generación y calibración de VREFDQ en el chip, un solo rango, contactos de borde de oro
• EEPROM de detección de movimiento en la placa I²C de serie, 16 bancos internos, 4 grupos de 4 bancos cada uno
• Truncamiento de ráfaga (BC) fija de 4 y longitud de ráfaga (BL) de 8 mediante ajuste de registro de modo (MRS)
• Topología Fly-by, bus de comandos y direcciones de control terminado
• Encapsulado DIMM de 260 pines, rango de temperatura de funcionamiento comercial de 0°C a 95°C