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MT53E4G32D8GS-046 WT:C
DRAM, Mobile LPDDR4, 128 Gbit, 4G x 32bit, 2.133 GHz, FBGA
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FabricanteMICRON
Referencia del fabricanteMT53E4G32D8GS-046 WT:C
Código Farnell4050887
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 121,810 € |
| 5+ | 116,970 € |
| 10+ | 112,050 € |
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Información del producto
FabricanteMICRON
Referencia del fabricanteMT53E4G32D8GS-046 WT:C
Código Farnell4050887
Hoja de datos técnicos
Tipo de DRAMMobile LPDDR4
Densidad de Memoria128Gbit
Configuración de Memoria4G x 32bit
Frecuencia de Reloj Máx.2.133GHz
Encapsulado del CIFBGA
Número de pines-
Tensión de Alimentación Nominal1.1V
Montaje de CirucitoMontaje en superficie
Temperatura de Trabajo Mín.-25°C
Temperatura de Funcionamiento Máx.85°C
Gama de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Especificaciones técnicas
Tipo de DRAM
Mobile LPDDR4
Configuración de Memoria
4G x 32bit
Encapsulado del CI
FBGA
Tensión de Alimentación Nominal
1.1V
Temperatura de Trabajo Mín.
-25°C
Gama de Producto
-
Densidad de Memoria
128Gbit
Frecuencia de Reloj Máx.
2.133GHz
Número de pines
-
Montaje de Cirucito
Montaje en superficie
Temperatura de Funcionamiento Máx.
85°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Dec-2015)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Taiwan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Taiwan
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Dec-2015)
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Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000001