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MT53E256M32D2DS-053 AIT:B
DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32bit, 1.866 GHz, WFBGA, 200 Pines
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FabricanteMICRON
Referencia del fabricanteMT53E256M32D2DS-053 AIT:B
Código Farnell3530743
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
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| 10+ | 13,940 € |
| 25+ | 13,500 € |
| 50+ | 12,510 € |
| 100+ | 12,210 € |
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Información del producto
FabricanteMICRON
Referencia del fabricanteMT53E256M32D2DS-053 AIT:B
Código Farnell3530743
Hoja de datos técnicos
Tipo de DRAMMobile LPDDR4
Densidad de Memoria8Gbit
Configuración de Memoria256M x 32bit
Frecuencia de Reloj Máx.1.866GHz
Encapsulado del CIWFBGA
Número de pines200Pins
Tensión de Alimentación Nominal1.1V
Montaje de CirucitoMontaje en superficie
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Funcionamiento Máx.95°C
Gama de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Resumen del producto
- Automotive LPDDR4/LPDDR4X SDRAM
- 1.10V VDD2/0.60V or 1.10V VDDQ operating voltage, 256 Meg x 32 configuration
- LPDDR4, 2 die court, 535ps, tCK RL = 32/36 cycle time
- 2133 to 10MHz frequency range (data rate range: 4266–20Mb/s/ pin)
- 16n prefetch DDR architecture, 8 internal banks per channel for concurrent operation
- Single-data-rate CMD/ADR entry, bidirectional/differential data strobe per byte lane
- Programmable READ and WRITE latencies (RL/WL)
- Programmable and on-the-fly burst lengths
- Directed per-bank refresh for concurrent bank operation and ease of command scheduling
- 200-ball WFBGA package, operating temperature range from -40°C to +95°C
Especificaciones técnicas
Tipo de DRAM
Mobile LPDDR4
Configuración de Memoria
256M x 32bit
Encapsulado del CI
WFBGA
Tensión de Alimentación Nominal
1.1V
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Gama de Producto
-
Densidad de Memoria
8Gbit
Frecuencia de Reloj Máx.
1.866GHz
Número de pines
200Pins
Montaje de Cirucito
Montaje en superficie
Temperatura de Funcionamiento Máx.
95°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Dec-2015)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Singapore
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Singapore
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Dec-2015)
Descargue el certificado de conformidad del producto
Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.001406