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MT53E256M16D1FW-046 WT:B
DRAM, Mobile LPDDR4, 4 Gbit, 256M x 16bit, 2.133 GHz, TFBGA, 200 Pines
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FabricanteMICRON
Referencia del fabricanteMT53E256M16D1FW-046 WT:B
Código Farnell3652206
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 9,820 € |
| 10+ | 9,190 € |
| 25+ | 8,970 € |
| 50+ | 8,830 € |
| 100+ | 8,130 € |
| 250+ | 8,010 € |
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Información del producto
FabricanteMICRON
Referencia del fabricanteMT53E256M16D1FW-046 WT:B
Código Farnell3652206
Hoja de datos técnicos
Tipo de DRAMMobile LPDDR4
Densidad de Memoria4Gbit
Configuración de Memoria256M x 16bit
Frecuencia de Reloj Máx.2.133GHz
Encapsulado del CITFBGA
Número de Pines200Pins
Tensión de Alimentación Nominal1.1V
Montaje de CirucitoMontaje en superficie
Temperatura de Trabajo Mín.-25°C
Temperatura de Funcionamiento Máx.85°C
Gama de Producto-
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Especificaciones técnicas
Tipo de DRAM
Mobile LPDDR4
Configuración de Memoria
256M x 16bit
Encapsulado del CI
TFBGA
Tensión de Alimentación Nominal
1.1V
Temperatura de Trabajo Mín.
-25°C
Gama de Producto
-
Densidad de Memoria
4Gbit
Frecuencia de Reloj Máx.
2.133GHz
Número de Pines
200Pins
Montaje de Cirucito
Montaje en superficie
Temperatura de Funcionamiento Máx.
85°C
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Dec-2015)
Documentos técnicos (1)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Singapore
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Singapore
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85423239
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Dec-2015)
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Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000001