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MT29F2G08ABAGAWP-AAT:G
Memoria Flash, SLC NAND, 2 Gbit, 256M x 8bit, Paralelo, TSOP-I, 48 Pines
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FabricanteMICRON
Referencia del fabricanteMT29F2G08ABAGAWP-AAT:G
Código Farnell3861374
Rango de Producto3.3V Parallel NAND Flash Memories
Hoja de datos técnicos
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| Cantidad | Precio (sin IVA) |
|---|---|
| 1+ | 4,030 € |
| 10+ | 3,650 € |
| 25+ | 3,560 € |
| 50+ | 3,430 € |
| 100+ | 3,290 € |
| 250+ | 3,280 € |
| 500+ | 2,740 € |
| 1000+ | 2,690 € |
Precio para:Cada
Mínimo: 1
Múltiplo: 1
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Información del producto
FabricanteMICRON
Referencia del fabricanteMT29F2G08ABAGAWP-AAT:G
Código Farnell3861374
Rango de Producto3.3V Parallel NAND Flash Memories
Hoja de datos técnicos
Tipo de Memoria FlashSLC NAND
Densidad de Memoria2Gbit
Configuración de Memoria256M x 8bit
InterfacesParalelo
Encapsulado del CITSOP-I
Número de pines48Pins
Frecuencia de Reloj Máx.50MHz
Tiempo de Acceso-
Tensión de Alimentación Mín.-
Tensión de Alimentación Máx.-
Tensión de Alimentación Nominal3.3V
Montaje de CirucitoMontaje en superficie
Temperatura de Trabajo Mín.-40°C
Temperatura de Funcionamiento Máx.105°C
Gama de Producto3.3V Parallel NAND Flash Memories
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)MSL 3 - 168 horas
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Especificaciones técnicas
Tipo de Memoria Flash
SLC NAND
Configuración de Memoria
256M x 8bit
Encapsulado del CI
TSOP-I
Frecuencia de Reloj Máx.
50MHz
Tensión de Alimentación Mín.
-
Tensión de Alimentación Nominal
3.3V
Temperatura de Trabajo Mín.
-40°C
Gama de Producto
3.3V Parallel NAND Flash Memories
Sustancia Extremadamente Preocupante (SVHC)
No SVHC (17-Dec-2015)
Densidad de Memoria
2Gbit
Interfaces
Paralelo
Número de pines
48Pins
Tiempo de Acceso
-
Tensión de Alimentación Máx.
-
Montaje de Cirucito
Montaje en superficie
Temperatura de Funcionamiento Máx.
105°C
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL)
MSL 3 - 168 horas
Documentos técnicos (2)
Legislación y medioambiente
País de origen:
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Singapore
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producciónPaís de origen:Singapore
País donde se realizó la mayor parte del proceso de producción
N.º de tarifa85423290
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
Conforme a RoHS:Sí
RoHS
Conforme a la directiva RoHS sobre de ftalatos:Sí
RoHS
Valor de sustancia extremadamente preocupante:No SVHC (17-Dec-2015)
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Certificado de conformidad del producto
Peso (kg):.000001